單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀是一種常見的物**相沉積（PVD）技術，用于制備各種薄膜材料。其工作原理是使用一種叫做磁控濺射的技術，將高純度的金屬或合金靶材濺射生成離子和中性原子，并將它們沉積在基底上形成薄膜。在這種濺射系統(tǒng)中，使用單個靶材，通常是金屬或合金的圓盤形，通過在靶材上施加高電壓和磁場，將靶材表面的粒子加速并噴向基底。由于基底通常是經(jīng)過高溫處理過的，因此濺射的金屬粒子會快速擴散并形成均勻的薄膜。

為了增加濺射速率和膜質量，光纖繞絲技術被引入其中。在光纖繞絲技術中，將纖維繞在靶材和基底之間，形成一條薄薄的縫隙。通過調整靶材和基底之間的距離并控制濺射能量，可以更加**地控制沉積在基底上的薄膜的厚度和組成。

單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀是一種用于制備薄膜的設備。它可以在基板表面形成均勻、致密、薄且具有特定性質的膜層。

這種濺射系統(tǒng)非常適合制備高質量、高純度、均勻性好的金屬和合金薄膜，廣泛應用于微電子、光學、電池、太陽能電池等領域。

1. 光學薄膜制備：用于制作高反射、抗反射等光學薄膜。

2. 電子器件制備：用于制備半導體器件、導電膜等。

3. 光學器件制備：用于制備太陽能電池、液晶顯示器、LED等器件。

4. 防護涂層制備：用于制備具有防水、防油、防紫外線、防磨損等性能的涂層。

總的來說，單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀廣泛應用于科研和工業(yè)領域中的薄膜制備。

技術參數(shù)：

繞絲機構	尺寸	Φ15mmx245mm
	繞絲速度	1-300r/min
磁控濺射頭	數(shù)量	2 英寸 x1	冷卻方式	水冷
真空腔體	腔體尺寸	Φ213mm X 307mm	觀察窗口	φ80mm
	腔體材料	不銹鋼 304	開啟方式	上頂開式、左側開式
電源配置	直流電源數(shù)量	1 臺	輸出功率	≤300W
	匹配方式	自動匹配
水冷系統(tǒng)	水箱容積	9L	流量	10L/min
供氣系統(tǒng)	類型	手動微量調節(jié)閥
真空系統(tǒng)	前級泵	雙極旋片泵	抽速	1.1L/s
	次級泵	渦輪分子泵	抽速	60L/s
	抽氣口	ISO63	出氣口	KF16
	真空計	復合真空計
其他	供電電壓	AC220V,50Hz	整機功率	2kw